삼성전자가 중국 현지 메모리 반도체 공장의 본격 가동에 들어갔다.
삼성전자는 9일 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 산시성 성위서기 자오쩡융(赵正永), 산시성 성장 러우친젠(娄勤俭), 공신부 부장 먀오웨이(苗圩), 국가발개위 부주임 쉬셴핑(徐宪平), 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사 그리고 권오현 부회장 등 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 신규로 건설한 메모리 반도체 공장의 준공식을 갖고 본격적인 제품생산에 돌입했다.
이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완성됐다.
단지는 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설되었으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산한다.
삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 “글로벌 반도체 생산 3거점 체제”를 구축했다.
삼성전자는 “글로벌 반도체 생산 3거점 체제”란, 시스템 반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국의 최적의 포트폴리오라고 밝혔다.
특히 중국 공장이 위치한 시안은 1100여 년간 중국의 수도 역할을 담당한 역사의 도시이며, 과거 동양과 서양의 문물을 연결하던 실크로드의 출발점으로도 유명하다.
산시성 성장 러우친젠(娄勤俭)은 축사를 통해 “삼성 프로젝트가 성공적으로 마무리 되었다”며 “산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것”이라고 밝혔다.
시안 공장의 완공으로, 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축해 생산규모도 확대하고 고객에게 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있다.
특히 글로벌 IT 기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국 내에서 낸드플래시 제품을 직접 생산하여 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐다.
이와 더불어 삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장동력을 마련했다. V-NAND는 국내 업체들이 충분한 경쟁력을 갖춘 증착공정의 비중이 높다.
이미 현지에 진출한 국내 협력사들은 60여개社로 향후 100개사까지 확대될 전망이다.
삼성전자 권오현 부회장은 기념사를 통해 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했다.
삼성전자는 2014 말 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성할 계획이다.
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삼성전자,중국 시안 반도체공장 가동
