µµ½Ã¹Ù ÄÚÆÛ·¹À̼ÇÀº 8ÀÏ ¸ðÅÍ ±¸µ¿¿ë ÀÌÁß ´Ü±Ø ¸ðÅÍ µå¶óÀ̹ö ICÀÎ TB67S158À» Ãâ½ÃÇÑ´Ù°í ¿À´Ã ¹ßÇ¥Çß´Ù. »ùÇà ¼±ÀûÀº ¿À´Ã ½ÃÀÛµÇ¸ç ´ë·®»ý»êÀº 10¿ù·Î ¿¹Á¤µÅ ÀÖ´Ù.
¿À¶ô±â°è, °¡Àü, »ê¾÷Àåºñ µîÀÇ Á¦Ç°¿¡ ÇÊ¿äÇÑ ¸ðÅÍ¿Í µå¶óÀ̹ö IC ¼ö¿ä°¡ Áõ°¡ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ±×·± ¿ÍÁß¿¡ Á¦Á¶¾÷üµéÀº ¿¡³ÊÁö ¼Òºñ °¨¼Ò¿Í °ø°£Àý¾àÀ» À§ÇØ Àåºñ Å©±â Ãà¼Ò¸¦ ¿ä±¸ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ±× °á°ú µå¶óÀ̺ù ¸ðÅÍ¿¡¼ µå¶óÀ̹ö IC°¡ Á¡Á¡ ´õ ´Ù¾çÇÑ ¿ªÇÒÀ» ¸Ã°Ô µÉ Àü¸ÁÀÌ´Ù.
µµ½Ã¹ÙÀÇ ±âÁ¸ µå¶óÀ̹ö ICÀÎ TB67S149´Â ´Ü±Ø ¸ðÅ͸¸ Á¦¾îÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¹Ý¸é, »õ·Î Ãâ½ÃµÈ TB67S158Àº 8ÀÎÄ¡ MOSFETÀ» ÅëÇÕÇÔÀ¸·Î½á ÀÌÁßÀ¸·Î ¸ðÅ͸¦ Á¦¾îÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. Áö¼ÓÀûÀÎ Àü¾ÐÁ¦¾î¸ðµå·Î Ãâ·Â(output)À» ¼³
Á¤ÇÔÀ¸·Î½á, 4ÀÎÄ¡ Ãâ·ÂÀ¸·Î ¸ðÅ͸¦ Á¦¾îÇÏ°í µ¿½Ã¿¡ ³ª¸ÓÁö 4ÀÎÄ¡·Î ´Ù¸¥ ¸ðÅ͵µ Á¦¾î °¡´ÉÇÏ´Ù. TB67S158´Â ÀÌ·± ´É·ÂÀ¸·Î ¿©·¯ Àåºñ¿¡ Àû¿ëµÉ ¼ö ÀÖÀ» »Ó ¾Æ´Ï¶ó ´Ù¾çÇÑ ¿ä°Ç¿¡µµ ºÎÇÕÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
µµ½Ã¹Ù´Â ÃֽŠ¾Æ³¯·Î±× °íÀü¾Ð ÇÁ·Î¼¼½º(80V)¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¸ð³ë¸®½Ä ÆÐÅ°Áö ±¸Á¶ ÅëÇÕ[1]À¸·Î ¼ÒÇü °í¹æ»ç¼± QFN (surface-mounting type package)¿Í Ç÷Π¸¶¿îÆÃ(flow mounting)¿ë SDIP(lead-inserting type package)¸¦ ¸ðµÎ ±¸ÇöÇß´Ù. ÀÌ ÆÐÅ°Áö±ºÀº ´Ù¾çÇÑ °ø°£Àý¾à Àåºñ ¿ä°Ç¿¡ ¸ÂÀ¸¸ç Àåºñ Å©±âÃà¼Ò·Î ÀÎÇØ ÇÊ¿ä ºÎÇ° ¼öµµ ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù.
½ÅÁ¦Ç° ÁÖ¿ä Ư¡
1. ÀÌÁß ´Ü±Ø(Dual unipolar): TB67S158´Â ÀÌÁß ´Ü±Ø ¸ðÅ͸¦ µ¿½Ã¿¡ Á¦¾îÇϱâ À§ÇØ 8ch-MOSFET Ãâ·ÂÀ» ÅëÇÕÇß´Ù.
2. ¸ð³ë¸®½Ä ±¸Á¶(Monolithic structure): ÃֽŠ¾Æ³¯·Î±× °íÀü¾Ð ÇÁ·Î¼¼½º(BiCD 130nm, 80V)¸¦ äÅÃÇÔÀ¸·Î½á ¸ð³ë¸®½Ä ±¸Á¶¸¦ ÅëÇÕÇß´Ù. ÀÌ´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ ¹è¿ ±â¹Ý Á¦¾îȸ·Î¿Í ºñ±³ÇßÀ» ¶§ ¸¶¿îÆà °ø°£°ú ºÎÇ° ¼ö¸¦ ÁÙ¿©ÁØ´Ù.
3. ¾îÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ µû¸¥ 2Á¾·ùÀÇ ÆÐÅ°Áö ¼±ÅÃ: ¸ðµâ°ú ¼¼Æ® Å©±âÃà¼Ò¿¡ °¡Àå Àß ¸Â´Â Ç¥¸é»ó½ÂÇü QFNÆÐÅ°Áö¿Í, Ç÷Π¸¶¿îÆÿ¡ ÀûÇÕÇÑ SDIP ÆÐÅ°Áö¸¦ ¼±ÅÃÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
4. ¿¡·¯°¨Áö ȸ·Î ³»Àå: TB67S158´Â ¿ Â÷´Ü ¹× °úÀü·ù Â÷´Ü ȸ·Î°¡ ³»ÀåµÅ ÀÖ´Ù. ÀÛµ¿Áß ERR ½ÅÈ£ Ãâ·ÂÀ¸·Î ³ôÀº Àåºñ ¾ÈÁ¤¼º°ú ½Å·Ú¼ºÀÌ À¯ÁöµÈ´Ù.
|