삼성전자가 40나노급 (1나노 10억억분의 1미터) 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)를 개발했다.
삼성전자는 2007년 60나노급 4기가 Flex-OneNANDTM 제품 개발로 고성능 스마트폰에서 퓨전 메모리 시장을 더욱 확대한 데 이어, 올 3월부터 8기가 Flex-OneNANDTM 를 양산해 고용량 High-End 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나갈 예정이다.
이번에 개발된 8기가 Flex-OneNANDTM 제품은 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노 공정을 적용해 기존 60나노급 4기가 Flex-OneNANDTM 제품 대비 생산성을 약 2.8배 향상시켜 제품 경쟁력을 한 단계 더 강화했다.
올해는 원낸드(OneNANDTM)제품도 40나노급 공정으로 1기가/2기가/4기가 제품을 양산해 타사 대비 1~2세대 앞선 제품 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.
이번에 개발된 8기가 Flex-OneNANDTM 제품의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰 업체에서 직접 Flex-OneNANDTM의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로(Flexible)디자인할 수 있다.
즉, 프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등의 데이터 저장용 MLC 플래시를 하나의 칩으로 구현할 수 있다.
뿐만 아니라 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NANDTM(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어, 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할때 별도의 소프트웨어가 필요 없도록 개발 편의성을 극대화했다.
최근 시장이 빠르게 확대되고 있는 스마트폰은 터치 방식 도입 및 고해상도 지원으로 갈수록 고기능화, 대용량화되고 있는데, 지난해는 16기가바이트를 내장한 스마트폰이 등장한 데 이어, '09년에는 32기가바이트 용량의 메모리가 내장될 예정이다.
이번에 개발된 8기가 Flex-OneNANDTM 제품을 탑재하면 이러한 고용량 내장 스토리지까지 별도의 S/W 개발이 필요 없이 사용 가능하다.
한편, 8기가비트 Flex-OneNANDTM 제품은 그 자체로 약 1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고 있으며, MLC 낸드 플래시 대비 4배 이상 고속의 읽기 성능 구현으로 대용량·고성능·저소비전력 등 고효율 동작을 요구하는 High-End 휴대폰에 가장 적합한 솔루션을 제공한다.
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삼성전자 8기가 Flex-OneNANDTM 출시
